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存储器这个千亿美元的大市场一直被美日韩企业所垄断，DRAM市场三星、海力士和美光科技三家瓜分了86%的市场份额（数据）；NAND市场除了一家独大的三星，铠侠、西部数据、美光科技、海力士和英特尔势均力敌，上述企业市场份额合计达到98%（Q1数据），留给其他厂商的生存空间非常有限。

目前在NOR市场国内企业表现亮眼，兆易创新与两家台企华邦、旺宏三分天下，与其他厂商有很大的领先优势。在DRAM和NAND市场，长鑫存储和长江存储国产化进程顺利，相关产品均实现商业化，并占有一定的市场份额。被拉入实体清单的福建晋华如同打不死的小强，也在夹缝中寻求一线生机。

除了传统的存储器，在FRAM、MRAM等新兴存储器中也能看到中国内企业的身影。比如本月初获得数千万Pre-A的亘存科技，就是一家从事MRAM存储器研发、设计的公司，其可参考的公司就是主要从事MRAM的美国Everspin公司。三星电子等也有MRAM业务，但仅是存储业务中的一小部分

数千万元到手，亘存科技的MRAM究竟是啥东西？

月初亘存科技获得数千万元的Pre-A融资，领投方是深圳市高轩投资，百度风投、正轩前瞻创业投资、陆石投资等多家机构跟投，资金将用于芯片优化、迭代及团队扩充。

MRAM即磁随机存储器技术，发展于上世纪90年代，是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性存储技术，具有高速读写、高密度、低工作电压和优异的萎缩性等优势，是唯一能将访问速度做到与DRAM一个级别的储存技术。

资料来源：MRAM与其他存储器对比，公开资料整理，阿尔法经济研究

MRAM最初主要作为高可靠独立存储器用于航空航天等领域。年随着几家头部厂商代工环境成熟，MRAM开始进入工业、汽车、物联网和消费类等领域，也打开了未来的成长空间。年全球MRAM市场规模为6.6亿美元，预计年达到26亿美元，年复合增长率为21.3%。

磁隧道结是MRAM的基本存储单元，核心部分由两个磁铁金属层（典型厚度1-2.5nm）夹着一个厚度为1-1.5nm的隧穿势垒层（绝缘材料）构成类似三明治结构的纳米多层膜，其中一个铁磁层被称为参考层（ReferenceLayer）或固定层（FixedLayer），磁化沿易磁化轴方向固定不变。另一个铁磁层被称为自由层（FreeLayer），磁化有两个稳定取向，分别与参考层平行或反平行，这将使磁隧道结处于低阻态或高阻态，也就是所谓的隧穿磁阻效应，两个组态分别代表0和1:

资料来源：磁隧道结核心结构及隧穿磁阻效应示意图，半导体行业观察资料，阿尔法经济研究

MRAM目前发展了两代，第一代是基于磁场驱动型技术，即通过电流的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作，代表技术有AstroidMRAM和发展比较成熟的ToggleMRAM。

AstroidMRAM是早期设计结构最简单的MRAM，电路结构如下：磁隧道结置于digitline和bitline交叉处，digitline和bitline分别沿着自由层难磁化轴和易磁化轴方向。写入时被选中的磁隧道结digitline和bitline分别通入电流以产生互相垂直的两个磁场，它们的大小均不足以使自由层完成磁化翻转，但二者能够将彼此方向上的矫顽场大小将地址所产生的磁场以下，因此只有交叉处的磁隧道结能够完成状态的写入：

资料来源：采用磁场写入方式的MRAM，半导体行业观察资料，阿尔法经济研究

不过这种方式要求bitline或digitline产生的磁场足够大以至于能够有效减小digitline方向或bitline方向上的矫顽场，同时也要足够小以避免同一条bitline或digitline上的其余磁隧道结被误写入带来半选干扰问题，加上工艺偏差的存在，会产生读写错误，所以允许写入的磁场范围非常有限。

ToggleMRAM改进了上述限制，主要是将自由层的难（易）磁化轴与写入磁场呈45度放置，则单独的一个写入磁场无法使自由层完成磁化翻转，从而避免半干扰问题，同时也扩展了写入磁场的可操作性。

资料来源：ToggleMRAM示意图，Everspin公司